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Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB vs Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
总分
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
总分
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 12% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.9
13.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
12.7
9.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
41
读取速度,GB/s
14.9
13.5
写入速度,GB/s
9.5
12.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2292
3114
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Frequency (Mhz) *
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Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
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