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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
17.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
54
左右 -69% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.4
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
32
读取速度,GB/s
3,573.5
17.4
写入速度,GB/s
1,308.1
14.4
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
3340
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
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