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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston 9905624-014.A00G 4GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
54
左右 -135% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.3
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
23
读取速度,GB/s
3,573.5
16.2
写入速度,GB/s
1,308.1
13.3
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
2598
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
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