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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

总分
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

总分
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Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB

差异 规格 评论

差异

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 11.1
    测试中的平均数值
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB 需要考虑的原因
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    47 left arrow 54
    左右 -15% 更低的延时
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.9 left arrow 1,308.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    54 left arrow 47
  • 读取速度，GB/s
    3,573.5 left arrow 11.1
  • 写入速度，GB/s
    1,308.1 left arrow 7.9
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    371 left arrow 1967

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAM的比较

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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
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内存RAM
AMD AE34G1601U1 4GB
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Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
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内存RAM
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Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
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内存RAM
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内存RAM
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
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Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
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内存RAM
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