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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
比较
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
总分
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
总分
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
13.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
54
左右 -125% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
6.3
1,308.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
54
24
读取速度,GB/s
3,573.5
13.6
写入速度,GB/s
1,308.1
6.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
371
1764
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
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