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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,256.8
18.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
64
左右 -237% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
19
读取速度,GB/s
4,651.3
19.9
写入速度,GB/s
2,256.8
18.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
3691
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905678-042.A00G 8GB
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