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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
比较
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
总分
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
总分
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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需要考虑的原因
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
61
64
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
8.2
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.4
2,256.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
64
61
读取速度,GB/s
4,651.3
8.2
写入速度,GB/s
2,256.8
6.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
837
1813
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
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A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-VK 32GB
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