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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.9
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.0
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
9.7
15.9
写入速度,GB/s
6.0
12.0
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3023
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 99U5471-066.A00LF 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
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