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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.7
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
9.7
16.7
写入速度,GB/s
6.0
13.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3025
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
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