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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.5
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.7
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
9.7
18.5
写入速度,GB/s
6.0
13.7
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3061
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.0927WH.001 8GB
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