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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
比较
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
总分
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
总分
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
27
42
左右 -56% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.1
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
6.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
10600
左右 2.42 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
27
读取速度,GB/s
9.7
19.1
写入速度,GB/s
6.0
15.2
内存带宽,mbps
10600
25600
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1396
3737
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
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Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
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