RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
报告一个错误
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
39
42
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.6
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
39
读取速度,GB/s
10.6
17.5
写入速度,GB/s
7.8
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2600
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link