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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
42
49
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
10.9
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
49
读取速度,GB/s
10.6
10.9
写入速度,GB/s
7.8
8.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2413
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
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