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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
比较
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
总分
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
总分
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
42
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.6
10.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
25
读取速度,GB/s
10.6
14.6
写入速度,GB/s
7.8
6.8
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2150
2073
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAM的比较
Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
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