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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
71
左右 -196% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.5
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
24
读取速度,GB/s
2,831.6
16.3
写入速度,GB/s
1,322.6
12.5
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2858
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
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