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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
比较
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Samsung 9905599-020.A00G 16GB
总分
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
总分
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
71
左右 -173% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.2
1,322.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
71
26
读取速度,GB/s
2,831.6
15.6
写入速度,GB/s
1,322.6
13.2
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
399
2783
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
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