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Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
比较
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
总分
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
总分
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
39
左右 -18% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.1
1,597.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
39
33
读取速度,GB/s
5,022.9
16.1
写入速度,GB/s
1,597.0
12.1
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
753
3157
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB RAM的比较
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
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