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PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
比较
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB vs Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
总分
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.1
13.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.2
8.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
13.7
18.1
写入速度,GB/s
8.3
16.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2270
3606
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905599-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
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