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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9905598-019.A00G 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
13.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.8
14.2
写入速度,GB/s
8.4
7.2
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2368
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
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