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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston 9965596-023.B01G 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
38
左右 29% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
8.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
38
读取速度,GB/s
13.8
8.2
写入速度,GB/s
8.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
1824
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
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