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PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
30
左右 10% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
13.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
8.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
30
读取速度,GB/s
13.8
16.6
写入速度,GB/s
8.4
12.3
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
3050
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
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Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
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