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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
比较
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
总分
PNY Electronics PNY 2GB
总分
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PNY Electronics PNY 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
52
左右 48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.4
7.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
52
读取速度,GB/s
13.8
10.0
写入速度,GB/s
8.4
7.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2274
2306
PNY Electronics PNY 2GB RAM的比较
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
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Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
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