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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
19
38
左右 -100% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.4
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.8
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
19
读取速度,GB/s
16.7
20.4
写入速度,GB/s
10.0
14.8
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
3066
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4B.M8FE1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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