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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
31
38
左右 -23% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.2
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
31
读取速度,GB/s
16.7
15.5
写入速度,GB/s
10.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2819
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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