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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
比较
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB vs SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
总分
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
总分
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.7
10.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
8.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
38
左右 -19% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
38
32
读取速度,GB/s
16.7
10.8
写入速度,GB/s
10.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2753
2318
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB RAM的比较
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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ASint Technology SLA302G08-EDJ1C 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
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