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Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
比较
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
总分
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
总分
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
53
79
左右 -49% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,468.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
79
53
读取速度,GB/s
3,061.8
14.0
写入速度,GB/s
1,468.1
12.0
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
422
3020
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
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