RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
20.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,069.2
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
18
106
左右 -489% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
18
读取速度,GB/s
3,273.7
20.9
写入速度,GB/s
2,069.2
16.7
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
3609
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB RAM的比较
Qimonda 72T128401EFA3SC2 512MB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRG 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
报告一个错误
×
Bug description
Source link