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Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
比较
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB vs Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
总分
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
总分
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
16.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
62
106
左右 -71% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
7.0
2,069.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
106
62
读取速度,GB/s
3,273.7
16.7
写入速度,GB/s
2,069.2
7.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
734
1808
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
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Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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