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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
40
49
左右 18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.3
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
49
读取速度,GB/s
12.3
10.8
写入速度,GB/s
7.8
8.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
2302
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
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