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Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
比较
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB vs Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
总分
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
总分
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
12.3
11.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.8
6.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
40
左右 -48% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
40
27
读取速度,GB/s
12.3
11.1
写入速度,GB/s
7.8
6.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1806
1890
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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