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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

总分
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Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB

总分
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Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

差异 规格 评论

差异

Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB 需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    43 left arrow 58
    左右 26% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 9.7
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    7.7 left arrow 7.5
    测试中的平均数值
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 12800
    左右 1.5 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    43 left arrow 58
  • 读取速度，GB/s
    11.4 left arrow 9.7
  • 写入速度，GB/s
    7.7 left arrow 7.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1823 left arrow 2172

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G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
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内存RAM
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
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内存RAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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