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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

总分
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    24 left arrow 25
    左右 -4% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.6 left arrow 16.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.4 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 24
  • 读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 16.6
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 12.4
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2764 left arrow 3037

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较

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内存RAM
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
内存RAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
内存RAM
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
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SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
内存RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
内存RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
内存RAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
内存RAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
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Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
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内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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