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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
18.3
写入速度,GB/s
10.1
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3330
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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