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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
32
左右 22% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.5
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
32
读取速度,GB/s
16.1
17.5
写入速度,GB/s
10.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3103
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
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