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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
25
左右 -4% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.9
16.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
24
读取速度,GB/s
16.1
16.9
写入速度,GB/s
10.1
8.9
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2821
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB RAM的比较
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
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