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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
29
左右 14% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.6
16.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.5
10.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
29
读取速度,GB/s
16.1
16.6
写入速度,GB/s
10.1
12.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
3323
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
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