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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

总分
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

总分
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    25 left arrow 33
    左右 24% 更低的延时
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    16.2 left arrow 16.1
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    12.5 left arrow 10.1
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    25 left arrow 33
  • 读取速度，GB/s
    16.1 left arrow 16.2
  • 写入速度，GB/s
    10.1 left arrow 12.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2764 left arrow 2973

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB RAM的比较

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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内存RAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
内存RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
内存RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
内存RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
内存RAM
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
内存RAM
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology C 8GB
Crucial Technology C 8GB
内存RAM
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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内存RAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
内存RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
内存RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
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