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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
比较
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
总分
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
31
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
25
31
读取速度,GB/s
16.1
11.0
写入速度,GB/s
10.1
8.4
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2764
2271
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM的比较
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB RAM的比较
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
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