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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
AMD R748G2606U2S 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
61
左右 30% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.6
8.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
AMD R748G2606U2S 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15
14.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
61
读取速度,GB/s
14.9
15.0
写入速度,GB/s
9.6
8.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
2028
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Frequency (Mhz) *
calculate
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
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