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Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
比较
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB vs Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
总分
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
总分
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
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需要考虑的原因
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
43
左右 -79% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
14.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
9.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
24
读取速度,GB/s
14.9
16.5
写入速度,GB/s
9.6
12.4
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2506
3247
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
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