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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,123.3
13.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
59
左右 -119% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
27
读取速度,GB/s
4,833.8
15.6
写入速度,GB/s
2,123.3
13.9
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
2964
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
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