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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB vs Kingston 9965690-002.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
总分
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
差异
规格
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Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
59
左右 -90% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.7
4
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
5.8
2,123.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
59
31
读取速度,GB/s
4,833.8
9.7
写入速度,GB/s
2,123.3
5.8
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 23 29 37 38
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
731
1859
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
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