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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
25
69
左右 -176% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
25
读取速度,GB/s
4,217.2
14.6
写入速度,GB/s
1,857.7
12.0
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3187
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
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