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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
69
左右 -116% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
32
读取速度,GB/s
4,217.2
19.4
写入速度,GB/s
1,857.7
13.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3364
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
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