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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Kingston 9905743-034.A00G 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
69
左右 -130% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.4
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
30
读取速度,GB/s
4,217.2
15.9
写入速度,GB/s
1,857.7
11.4
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
3026
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
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SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
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