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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
69
左右 -97% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.3
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
35
读取速度,GB/s
4,217.2
15.5
写入速度,GB/s
1,857.7
11.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2848
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM的比较
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Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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