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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
58
64
左右 9% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
4
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
1,950.7
1,539.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
6400
5300
左右 1.21% 更高的带宽
需要考虑的原因
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB
报告一个错误
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor KLCD48F-A8KB5 1GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR2
PassMark中的延时,ns
58
64
读取速度,GB/s
4,241.0
2,893.9
写入速度,GB/s
1,950.7
1,539.2
内存带宽,mbps
6400
5300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 667 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
449
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
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Kingston KF560C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
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