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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
比较
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
总分
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
总分
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
20.1
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
58
左右 -107% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
16.6
1,950.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
58
28
读取速度,GB/s
4,241.0
20.1
写入速度,GB/s
1,950.7
16.6
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
651
3990
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
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