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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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需要考虑的原因
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
46
左右 -48% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
22.4
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
16.8
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
31
读取速度,GB/s
2,909.8
22.4
写入速度,GB/s
1,519.2
16.8
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
4012
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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