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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
46
左右 -64% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.7
2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.4
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
3200
左右 6.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
28
读取速度,GB/s
2,909.8
21.7
写入速度,GB/s
1,519.2
17.4
内存带宽,mbps
3200
21300
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
3793
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
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